Η Toshiba Corp. και η Hynix Semiconductor αποφάσισαν να ετοιμάσουν για το μέλλον μέσω της συνεργασίας τους ένα νέο είδος μνήμης το οποίο είναι γνωστό ως Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory (MRAM).
Η MRAM, η οποία σχεδιάζεται εδώ και αρκετό καιρό, είναι μια μη πτητική λύση μνήμης η οποία αποθηκεύει τα δεδομένα με τον επαναπροσανατολισμό της μαγνήτισης ενός λεπτού μαγνητικού στρώματος. Αυτή η προσέγγιση είναι πιο αποδοτική όσον αφορά την ενέργεια σε σύγκριση με τις DRAM, οπότε θα είναι η τέλεια λύση για τις μελλοντικές φορητές συσκευές. Από τότε που η ταχύτητα δεν είναι πρόβλημα, η MRAM μπορεί να χρησιμοποιείται ευρέως σε υπολογιστές και να κάνει τις DRAM στην άκρη. Βέβαια για να γίνει αυτό θα πάρει κάποιο σημαντικό χρονικό διάστημα.
Η Toshiba και η Hynix δεν έχουν δώσει κάποιο χρονοδιάγραμμα για την εμφάνιση κάποιων προιόντων.
